【摘 要】
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采用超高频等离子增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术,逐次高速沉积非晶硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的p层均采用微晶硅
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
【基金项目】
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国家蘑点基础研究发展规划（批准号：2006CB202602,2006CB202603）,国家自然科学基金（批准号：60506003）和国家科技计划配套基金（批准号：07QTPTJC29500）资助项目
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采用超高频等离子增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术,逐次高速沉积非晶硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的p层均采用微晶硅材料来形成隧穿复合结,然而该叠层电池的光谱响应测试结果表明,顶电池存在着明显的漏电现象.针对该问题作者提出,在顶电池的微晶硅n层中引入非晶硅n保护层的方法.实验结果表明,非晶硅n层的引入有效地改善了顶电池漏电的现象;在非晶硅n层的厚度为6nm时,顶电池的漏电现象消失,叠层电池的开路电压由原来的1.27提高到1.33V,填充
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