非平衡载流子相关论文
运用时域太赫兹波谱法,低温(10 K)高电场下本征砷化镓中受飞秒激光脉冲激发的电子所辐射出的太赫兹波被准确地测量出来。从样品中......
研究了不同响应波长的HgCdTe器件在不同背景辐射条件下的噪声变化。随着背景辐射的增加,甚长波器件的噪声减小,而中波器件相反。噪......
研究了热退火对飞秒激光脉冲在空气中微构造的黑硅材料的光致发光（PL）时间分辨光谱和发光强度衰减性质的影响,分析了退火后黑硅材料......
根据量子统计理论,结合材料的晶格结构和能带特点,研究了半导体材料电子态的微观结构及非平衡载流子的量子统计分布特性;分析了电......
采用宽频带飞秒脉冲泵浦-探测方法测量了LT-GaAs中不同能态的光生载流子的超快捕获特性,发现随着载流子的过超能量增大,载流子的散......
利用时域太赫兹波谱系统,研究了超高电场下砷化镓中的非平衡载流子的动态运动过程.研究发现,当电场小于50 kV/cm时,电子运动所辐射......
针对非均匀寿命分布情况,建立了描述电导调制基区的双极输运方程,并利用Liouville_Green变换获得该方程在不同边界条件下的WKB解.......
利用非平衡载流子的连续性方程,结合GaAs/GaSb异质结器件的特点,运用了大注入情况下的边界条件,对载流子的复合过程进行了数值分析......
根据GaAs材料的能带模型和能带特点,对激光脉冲作用下GaAs中非平衡载流子浓度及其微观驰豫过程进行研究.相位驰豫的主要散射机制为......
对半导体硅片进行薄层电阻测试的过程中,当探针接触半导体材料表面,将向表面材料中注入载流子,这将影响薄层电阻测量数据的误差,文......
热动力学损失：光照产生的光生非平衡载流子，即使电子和空穴回到其能带底或顶的稳定位置，但系统仍处于非平衡态，系统将通过载流子的产生......
从大注入半导体物理的基本理论推导得到了反向开关复合管（RSD）工作的基本物理方程，通过考虑大注入和强电场效应，建立了RSD以pnn^＋二极管......
为了评估基于瞬态光栅的全光高速相机系统中激发光强与图像信号之间的对应关系,验证基于磷化铟（InP）建立该相机的可行性。针对InP材......
为解决脉冲激光激发均匀半导体材料ZnO纳米线中所产生的非平衡载流子在一维情况下时间、空间的演化理论模型。采用级数展开法，求解......
GaN基半导体器件的商业化使得当前对Ⅲ族氮化物的研究发展迅猛。由于带隙可以从6.2eV到0.7eV连续变化,所对应的波长覆盖了从近红外......
