【摘 要】
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采用磁控溅射制备GZO和具有ITO界面调控层的GZO（ITO/GZO）透明导电薄膜作为大功率LED的电流扩散层,对比研究界面调控层对LED器件性能的影响。研究结果表明,ITO/GZO薄膜的透过率
【机 构】
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上海大学机电工程与自动化学院,上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室
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采用磁控溅射制备GZO和具有ITO界面调控层的GZO（ITO/GZO）透明导电薄膜作为大功率LED的电流扩散层,对比研究界面调控层对LED器件性能的影响。研究结果表明,ITO/GZO薄膜的透过率在可见光区达80%以上,退火后的ITO/GZO薄膜有较低的电阻率（1.15×10-3Ω.cm）。ITO调控层的介入能够调制GZO表面粗糙度,有利于改善LED外量子效率,降低GZO/p-GaN界面的接触势垒,提高LED器件的光电性能。通过ITO界面调控后,LED器件20 mA驱动电流下的工作电压从9.5 V
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