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本文介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面研究工作.采用发射极基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT DHBT器件,发射极尺寸为1.5 μm×10 μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVcso≥10V,截止频率Ft和最高振荡频率Fmax分别为50GHz和55GHz。