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在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体，很容易在坩埚圆锥面处生长多晶。本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案，把底加热器取消并在坩埚底部加入氦气冷源，底部结构类似于热交换法系统。这样改变热场结构，得到凸向熔体的固液界面。
运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体
【摘 要】
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在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体，很容易在坩埚圆锥面处生长多晶。本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案，把底加热器取
【机 构】
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北京有色金属研究总院
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2008年5期
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