【摘 要】
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铟镓锌氧化物薄膜晶体管（IGZO TFT）因具有场效应迁移率高,大面积均匀性好,无定型态等特点,被认为是显示器朝着大尺寸、柔性化方向发展的新型背板技术。源漏电极与有源层之间的
【机 构】
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吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室
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铟镓锌氧化物薄膜晶体管（IGZO TFT）因具有场效应迁移率高,大面积均匀性好,无定型态等特点,被认为是显示器朝着大尺寸、柔性化方向发展的新型背板技术。源漏电极与有源层之间的接触氧化会增大器件的接触电阻,从而导致器件的性能降低。利用未退火IGZO具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特点,提出采用未退火IGZO作为源漏电极缓冲层,以减少源漏电极与有源层之间的接触氧化。研究发现插入4nm未退火IGZO缓冲层时,相对于未采用缓冲层的器件,其饱和区场效应迁移率提高了11.6%,阈值电压降低了3.8V,器件性能有所提
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