【摘 要】
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研究了稀土元素Sm、Eu、Gd对于Nb掺杂的TiO2基压敏电阻电学性能的影响.几种稀土元素的掺杂量均为体系总量的2%(原子比),其它原料的掺入量固定不变.实验样品在1380℃烧结,保温
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划（863计划），国家自然科学基金，清华大学校科研和教改项目，王宽诚教育基金
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研究了稀土元素Sm、Eu、Gd对于Nb掺杂的TiO2基压敏电阻电学性能的影响.几种稀土元素的掺杂量均为体系总量的2%(原子比),其它原料的掺入量固定不变.实验样品在1380℃烧结,保温4 h.实验发现,Sm、Eu、Gd等稀土元素可以有效降低TiO2基压敏电阻的压敏电压,但对于非线性系数的影响不很明显.对于Sm、Eu、Gd掺杂,实验得到的压敏电压值分别为12.7、14.7和16.1 V.通过对试样的阻抗分析发现,Sm、Eu、Gd掺杂对于压敏电阻的介电性能有显著影响,单独掺杂Sm或Gd的试样具有很低的介电常数
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