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文章对突变反型异质结的能带图、接触电势差和势垒区宽度进行了讨论和研究.同时,介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的SiGe/Si结构的异质结双极晶体管(HBT)制造工艺,并给出了测试结果.
突变反型异质结及其双极晶体管的研制
【摘 要】
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文章对突变反型异质结的能带图、接触电势差和势垒区宽度进行了讨论和研究.同时,介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的SiGe/Si结构的异质结双极晶体管(HBT)制造工艺,并给出了测
【机 构】
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重庆邮电学院光电工程学院,中国电子科技集团公司第二十四研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2003年2期
【基金项目】
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重庆邮电学院校科研和教改项目
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