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本文将普通的双极型IC工艺用干磁敏器件的制作中,成功地研制了一种新型三维磁敏晶体管,并在理论和实验上分析讨论了其灵敏度、线性度和失调等问题.用该方法制作的器件对B<sub>x</sub>分量的灵敏度S<sub>xx</sub>较国外文献报道的高一个数量级.
半导体3—D磁敏器件的设计与分析
【摘 要】
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本文将普通的双极型IC工艺用干磁敏器件的制作中,成功地研制了一种新型三维磁敏晶体管,并在理论和实验上分析讨论了其灵敏度、线性度和失调等问题.用该方法制作的器件对B<sub
【机 构】
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上海半导体器件研究所,华东师范大学电子科学技术系上海
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1989年12期
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