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在传统的三相桥式电路中,主电路功率开关器件常采用IGBT或MOSFET等全控型器件,应用分立器件来构成门极驱动电路是至今常用的方法之一。由于分立元件的温度漂移性,版图排列的分布参数等问题难以很好解决,加之每一个MOS门功率器件需一个门极驱动电路,多功率MOS门器件系统应用这种驱动电路复杂而庞大,使应用受到了极大限制。