纳米硅(nc—Si:H)/晶体硅(c—Si)异质结太阳电池计算机模拟

来源 :云南师范大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:waterdrop505
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文章运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟计算了n-型纳米硅(n+-nc-Si∶H)/p-型晶体硅(p-c-Si)异质结太阳电池的光伏特性.结果显示,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(VOC和填充因子(FF).计算得到了这种电池理想情况下(无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1)的理论极限效率ηmax=31.17%(AM1.5100MW/cm2 0.40~1.10μm波段).
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