论文部分内容阅读
基于电子密度泛函理论计算，系统研究了氧空位对V—C（p型）、Cr—N（n型）、V—N和Cr—C（电中性）四种共掺型锐钛矿TiO2的几何和电子结构的影响．结果表明在最稳定构型中氧空位处在与金属杂质原子相连的位置．由于氧空位的出现，共掺Ti02禁带中一些未占据的杂质态被填充满电子，掺杂体系的导带带边位置几乎不变，这有利于减少光生载流子复合，且不影响光解水过程中的产氢反应，在厌氧条件下很容易在V—N共掺TiO2中引入氧空位．