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气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究
气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qqshe
【摘 要】
:
以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD的形成温区为300 ̄800℃,900℃以上退火将被不可逆消除,指出NRD可能有N-O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式,各有不同的
【作 者】
:
张溪文
石晓红
【机 构】
:
浙江大学硅材料国家实验室,中国科学院上海技术物理所红外物理国家实验室
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1997年5期
【关键词】
:
气氛掺氮
硅单晶
氮关施主
施主
光热电离光谱
IonizationNitrogenSemiconductor dopingSpectroscopy
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以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD的形成温区为300 ̄800℃,900℃以上退火将被不可逆消除,指出NRD可能有N-O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式,各有不同的热处理行为。
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