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气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究
以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD的形成温区为300 ̄800℃,900℃以上退火将被不可逆消除,指出NRD可能有......
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气氛掺氮
硅单晶
氮关施主
施主
光热电离光谱
IonizationNitrogenSemiconductor dopingSpectroscopy
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