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硅片化学机械抛光后存放方法探讨
硅片化学机械抛光后存放方法探讨
来源 :物理化学进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liongliong421
【摘 要】
:
化学机械抛光后的硅片,都会在去离子水中浸泡一段时间才会做后面的最终清洗。但浸泡时间和浸泡条件会影响到最终的清洗效果。本文研究了不同浸泡条件下,硅片经过最终清洗后表
【作 者】
:
史训达
刘云霞
林霖
杨少坤
蔡丽艳
赵而敬
刘卓
【机 构】
:
有研半导体材料有限公司
【出 处】
:
物理化学进展
【发表日期】
:
2018年4期
【关键词】
:
表面活性剂
金属沾污
颗粒
CMP
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化学机械抛光后的硅片,都会在去离子水中浸泡一段时间才会做后面的最终清洗。但浸泡时间和浸泡条件会影响到最终的清洗效果。本文研究了不同浸泡条件下,硅片经过最终清洗后表面颗粒的变化。
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