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对InSb探测器芯片的退化机理进行讨论。提出了SiO2钝化膜中悬键形成的一种新模式；为进一步减少界面陷阱及界面态，采用含氧原子的等离子体来处理芯片，取得了良好效果，含氧等离子气氛由N2O气体高频电离获得。处理后的InSb探测器芯片，I-V特性明显好转；Au／Cr-SiO2-InSbMIS结构的C-y曲线下降坡明显变陡，曲线回滞明显变小；红外吸收谱表明SiO2钝化膜中-H键及-OH键的数量明显减少。