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研究了用注F工艺制作的短沟MOSFET的热载流子效应.实验结果表明,在栅介质中注入适量的F能够明显地减小由热载流子注入引起的阈电压漂移、跨导退化和输出特性的变化.分析讨论了F的抗热载流子损伤的机理.
注F短沟MOSFET的抗热载流子损伤特性
【摘 要】
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研究了用注F工艺制作的短沟MOSFET的热载流子效应.实验结果表明,在栅介质中注入适量的F能够明显地减小由热载流子注入引起的阈电压漂移、跨导退化和输出特性的变化.分析讨论
【机 构】
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中国科学院新疆物理研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2002年1期
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