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采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算薄膜SOI RESURF结构击穿电压．数值计算表明，这种方法可以降低方程的迭代次数约40％，并明显减少方程的求解时间．
适于薄膜SOI RESURF器件击穿电压模拟的高阶紧致差分格式离散的ADI方法
【摘 要】
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采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算薄膜SOI RESURF结构击穿电压．数值计算表明，这种方法可以降低方程的迭代次数约40％，并明显减少方程的求解时间．
【机 构】
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中国电子科技集团公司第58研究所,江南大学信息工程学院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年2期
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