论文部分内容阅读
以多聚硅为硅源，通过溶胶、凝胶、表面修饰及超临界干燥过程制备出了疏ｉＯ２气凝胶，表面修饰后ＳｉＯ２气凝胶孔洞由修饰前的２３．１ｎｍ减小到１８．２ｎｍ，比表面积由有的４７７ｍ＾２ｇ＾－１增加到５６３ｍ＾２ｇ＾－１，骨架颗粒比修饰前略大，饱和水蒸汽吸附量由吸附前的０．０４（重量比）降低到０．００１２，且与水不浸润。