短路发射极是怎样影响晶闸管综合性能的

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有经验的晶闸管装置设计者,特别是运行在条件比较恶劣的大容量装置的设计者,通常都会在晶闸管门极-阴极间并联一个十欧姆量级的电阻,有时也会再并联一个电容器.  ……
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ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
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