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沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究

来源 :电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：comeandsit

【作 者】

：

崔江维  郑齐文  余德昭  周航  苏丹丹  马腾  魏莹 

【出 处】

：

电子学报

【发表日期】

：

2018年05期

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