0.5ML氢化Si(100)表面结构的理论研究

来源 :苏州大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shinboy_zsl
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采用经验紧束缚近似(empirical tight-binding)方法模拟了Si(100)表面0.5ML(monolayer)氢化结构.通过对各种可能的0.5ML氢化Si(100)表面模型的能量的计算,得到了能量结构最为稳定的表面拓扑构造,并确定了其键长、键角、不对称性等参数,还证实了实验上在Si(100)-p (2×2)基底上亦可形成c(4×4)-H稳定结构的结论.
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