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用直流弧光放电的方法已经合成了C-BN的纳米晶体．并用XRD，TEM方法鉴定了其生长粉末的特性．其结果已经表明在粉末中，从20～60nm，c-BN和h-BN颗粒可以共存，升华-再杂化-结晶的反应途径已经提出来用以解释C-BN的生长机理．
直流电弧法合成立方氮化硼纳米晶体
【摘 要】
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用直流弧光放电的方法已经合成了C-BN的纳米晶体．并用XRD，TEM方法鉴定了其生长粉末的特性．其结果已经表明在粉末中，从20～60nm，c-BN和h-BN颗粒可以共存，升华-再杂化-结晶的反应途径已
【机 构】
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吉林师范大学教育技术与传播学院
【出 处】
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吉林师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2006年3期
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