通过直流磁控溅射法在Si/Si O₂/Pt基片表面沉积摩尔比为2∶3的Bi/Mo多层薄膜。系统研究了热氧化温度对上述薄膜的物相组成、微观形貌、介电性能的影响。X-射线衍射（XRD）数据表明,420⁴80℃可热氧化形成介质薄膜。420℃氧化,薄膜的物相为Bi₂O₃、Mo O₃、Bi₂Mo O₆和Bi₂Mo₃O₁₂;450℃和480℃氧化,薄膜的主相均为Bi₂Mo₃O₁₂,另有少量Bi₂Mo O₆存在。扫描电镜（SEM）观察结果显示,薄膜在450℃即已致密、均匀。介电性能测试结果显示,480℃氧化的介质薄膜,具有较优的介电性能:1 k Hz测量,介电常数约15.6,介电损耗约0.65%;5.55 k V/mm电场强度下,漏电流密度约3.4×10^-7 A/mm²。考虑到Bi/Mo薄膜极低的成膜温度（480℃）及直流磁控溅射Bi/Mo金属薄膜较大的沉积速率（92 nm/min）,直流磁控溅射Bi/Mo金属薄膜,然后热氧化成Bi₂Mo₃O₁₂介质薄膜,在工业上具有应用价值,有望应用于嵌入式薄膜电容器的制备。