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利用射频磁控溅射方法制备了VO2薄膜，通过正交试验设计研究镀膜工艺因素对薄膜导电特性的影响规律。试验结果表明，影响薄膜导电性能的主要因素是热处理温度，其次是衬底的温度，溅射功率和工作压强对薄膜导电性能的影响很小。X射线衍射结果表明，制备的VO2薄膜为非晶体结构，480℃真空热处理后，VO2薄膜结晶良好。由此得到制备VO2薄膜的最优化工艺为：衬底的温度400℃、热处理温度480℃、溅射频率120W和工作气压1．5Pa．