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采用直流反应磁控溅射在具有双轴织构的Ni-5％W基底上快速沉积了Y2O3种子层，随后外延生长GdxZr1-xO（x=0．5，0．1）和YSZ三种阻挡层。研究表明，Y2O3能扩大和稳定后续薄膜的工艺窗口。X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）分析结果表明，三种薄膜c轴织构良好、表面平整致密，其中GSZ（X=0．5）具有最好的面内织构和表面形貌，面内半高宽（FWHM）5．8°，均方根粗糙度（RMS）1．6nm。