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4月17日，从中国科学院上海微系统与信息技术研究所获悉，中国第一款具有自主知识产权的相变存储器（pCRAM）芯片研制成功，产业化前景可观。据专家介绍，相比于传统存储器利用电荷形式进行存储，相变存储器主要利用可逆相变材料晶态和非晶态的导电性差异实现存储，被称为是“操纵原子排列而实现存储”的新型存储器。