HNO3处理多孔硅高效发光的研究

来源 :江西科学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hulan2010

【摘要】

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在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅(Porous Silicon)样片,同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理.比较了HNO3作用前后样片的光致发光(PL)谱,结果发现

【作者】

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王水凤姜乐戴丽丽王震东元美玲

【机构】

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南昌大学理学院,南昌大学材料科学与工程系

【出处】

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江西科学

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

多孔硅光致发光 HNO3 Porous silicon Photoluminescence HNO3

【基金项目】

：

江西省自然科学基金

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在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅(Porous Silicon)样片,同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理.比较了HNO3作用前后样片的光致发光(PL)谱,结果发现用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高.用XPS和SEM对样片测试的结果表明:酸处理后样片表面形成Si-O结构,其表面平均孔径增大,而且分布更均匀.

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