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中子辐照的水平生长出绝缘GaAs(样品A)、原生的和塑性形变的直法拉制半绝缘GaAs(样品C和D),都给出一组四线谱,但在不同的样品中呈现不同的退火特性:样品A经125℃三小时退火后,EPR谱有部分光猝灭效应,加长退火时间,光猝灭效应消失,表现出异常的退火特性;而样品C和D,则无光猝灭效应.
半绝缘砷化镓EPR谱的异常退火特性
【摘 要】
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中子辐照的水平生长出绝缘GaAs(样品A)、原生的和塑性形变的直法拉制半绝缘GaAs(样品C和D),都给出一组四线谱,但在不同的样品中呈现不同的退火特性:样品A经125℃三小时退火后
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,北京大学物理系,北京大学物理系,北京大学物理系 北京,北京,北京,北京,北京,北京
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1989年08期
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