【摘 要】
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本工作采用电子回旋共振（ECR）低压等离子体刻蚀技术,刻蚀非晶熔石英表面.Ar/CF4为反应气体刻蚀后再经O等离子体钝化,非晶熔石英表面出现晶化现象.晶化层约几百纳米厚.Ar/CF4在E
【机 构】
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中国工程物理研究院激光聚变研究中心; 重庆交通大学理学院;
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:20903083);中国工程物理研究院发展基金(批准号:2010B0401056)资助的课题~~
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本工作采用电子回旋共振（ECR）低压等离子体刻蚀技术,刻蚀非晶熔石英表面.Ar/CF4为反应气体刻蚀后再经O等离子体钝化,非晶熔石英表面出现晶化现象.晶化层约几百纳米厚.Ar/CF4在ECR的电磁场作用下产生F离子与C离子,F离子使熔石英表面的Si-O共价键断裂,并释放出O离子.C离了与O离子迅速键合生成CO2,而被断键的Si原子与四个F原子键合生成气态SiF4.熔石英原始表面被去除的同时,在新的表面留下大量不饱和Si原子.不饱和Si原子在高温条件下被O等离子钝化,形成结晶态α方石英.
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