切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
高压低频电流与音乐电治疗神经衰弱的疗效比较
高压低频电流与音乐电治疗神经衰弱的疗效比较
来源 :中华理疗杂志 | 被引量 : 0次 | 上传用户:heqigao
【摘 要】
:
资料和方法1994~1996年神经衰弱患者164例,均经神经内科确诊,男91例,女73例;年龄21~63岁,平均42.3岁;病程1~25年,平均8.2年;睡眠障碍87例,紧张性头痛43例,脑力疲劳和记忆力减退34例。随机分为高压低频电流组82例,包括...
【作 者】
:
马虹
王小娟
【机 构】
:
西安第四军医大学西京医院理疗科
【出 处】
:
中华理疗杂志
【发表日期】
:
1999年1期
【关键词】
:
神经衰弱
高压低频电流
音乐电疗法
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
资料和方法1994~1996年神经衰弱患者164例,均经神经内科确诊,男91例,女73例;年龄21~63岁,平均42.3岁;病程1~25年,平均8.2年;睡眠障碍87例,紧张性头痛43例,脑力疲劳和记忆力减退34例。随机分为高压低频电流组82例,包括...
其他文献
外资在民族工业中的平面同质性扩张分析
FDI是一柄“双刃剑”,负面影响的存在是一种必然。借鉴研究区域行业结构趋同的“产业结构相似系数”、外资市场占有率和股权控制率对这种同质性扩张进行实证分析并提出相应政
期刊
外资
平面同质性扩张
产业结构
相似系数
SiH4和GeH4生长SiGe合金的CVD反应研究
本文使用快速热处理超计CVD方法,通过分解SiH4及GeH4气体生长SiGe合金层。俄歇电子能谱被用业检测SiGe合金层的厚度。实验发现:随着生长温度的升高,SiGe合金中Ge原子的结合率增加到最大值,然后减小;SiGe合金的生
期刊
半导体材料
硅锗合金
SIH4
GeH4
CVD
Chemical vapor deposition
Heterojunctions
Silicon alloy
实现气敏元件高选择性的一种方法
本文提出一种提高半导体电阻式气敏元件选择性的新方法。这种方法的基本出发点是互补反馈原理。这种新型气敏元件的结构与原有的不同,由两种不同特性的敏感体组合而成,其组合
期刊
气敏器件
半导体
气敏元件
选择
Ti/SiO2(薄)/Si体系在微量氧存在的氮气中退火过程的研究
RBS,AES,XPS分析结果证实:在有微量氧存在的氮气中,Ti/SiO2(薄)Si体系不同温度下退火过程均无TiN生成;随退火温度升高,该体系形成的TiSi2层;Ti氧化物层不断变薄,并伴有SiO2在表面层重新出现。通过△G的计算,热力学证明反应
期刊
Ti/SiO2/Si
微量氧
氮气
退火
内窥镜下Nd:YAG激光治疗鼻内翻性乳头状瘤6例
临床病理诊断为鼻内翻性乳头状瘤患者6例,均为男性,年龄48~65岁,5例为首诊,1例已行鼻侧切开径路行乳头状瘤切除术,术后放疗,2年后复发.6例患者均在激光手术前作鼻腔、鼻窦CT检
期刊
鼻肿瘤
乳头状瘤
内镜
激光疗法
疗例报告
Co/Ti/Si三元固相反应形成自对准TiN/CoSi2复合薄膜
采用离子束溅射技术在Si片上先后连续淀积Ti膜和Co膜,对Co/Ti/Si三元体系固相反应特性进行了研究。在氮气氛下对Co/Ti/Si样品进行热处理,结果表明,样品薄层电阻及薄膜结构随
期刊
Co/Ti/Si
复合薄膜
自对准工艺
掺锌砷化镓样品的SIMS定量分析
本文利用注入剂量法,对离子注入掺Zn的GaAs样品进行了SIMS定量分析,得到了Zn在GaAs中的浓度分布,并由此获得了稳定的相对灵敏度因子,利用相对灵敏度因子法对GaAs 中的掺杂元
期刊
砷化镓
掺锌定量分析
SIMS
GaN压电效应对载流子浓度的影响
在NH3源GSMBE生长的GaN中观察到较大的双轴张应变。随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽,Hall测试得到的背景电子浓度增大。本文应用GaN的压电效应对此进行了解释。
期刊
半导体
氮化镓
压电效应
载流子浓度
Carrier concentration
Molecular beam epitaxy
Piezoelectricity
超短波治疗特发性气胸临床观察
期刊
特发性气胸
超短波治疗
疗效
关于薄SiO2的高场弛豫电导与击穿机制的研究
薄SiO_2的早期高场弛豫电导与原生电子陷阱的俘获及新生正电荷的产生密切相关;中、后期的电导弛豫与新生电子陷阱的产生-俘获过程相关,新生电子陷阱遵从单分子产生规律.一个
期刊
薄SIO2
电导弛豫
击穿机制
与本文相关的学术论文