对GeH4与HX形成的二氢键复合物的结构特征及本质进行了探讨．在MP2／6-311＋＋C（3d，3p）水平优化、频率验证得到复合物的分子结构，通过分子的几......

利用自行研制的超净低温低真空化学气相外延系统，应用锗烷和硅烷气本，在２英雨到３英雨的衬底硅片上生长了锗硅异质结外延层。在６６５℃，６１０℃和５７５℃......

在半导体制造过程中，需要使用大量有毒性气体，如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有......

本文使用快速热处理超计ＣＶＤ方法，通过分解ＳｉＨ４及ＧｅＨ４气体生长ＳｉＧｅ合金层。俄歇电子能谱被用业检测ＳｉＧｅ合金层的厚度。实验发现：随着生长温度的升高，ＳｉＧｅ合金中......