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研究了采用全氟四氢辛基硅烷（F13-TCS）对纳米压印技术中所用SiO2模板进行表面修饰的情况，分析了用气相法在SiO2模板表面形成F13-TCS单分子膜的形成过程及化学机理，并用X射线光电子能谱仪（XPS）和视频光学接触角测试仪对模板修饰表面的元素成分、价态和表面能进行了测试袁征，用原子力显微镜（AFM）对压印过程中的模板结构及模板复制结构进行了对比分析。结果表明，通过F13-TCS对SiO2模板的表面修饰，可以大大降低模板与压印聚合物层之间的相互作用力，在纳米压印过程中实现结构较好的转移、复制．