【摘 要】
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运用等离子体发射光谱,分析衬底温度对氮化锌薄膜制备过程中各等离子体活性基团的影响,随着温度升高,N2^＊第一正系B^3Πg→A^3Σ＋u,N2^＊第二正系C^3Πu→B^3Πg,N2＋^＊第一负系B^2
【机 构】
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华南师范大学物理与电信工程学院,华南师范大学实验中心
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运用等离子体发射光谱,分析衬底温度对氮化锌薄膜制备过程中各等离子体活性基团的影响,随着温度升高,N2^＊第一正系B^3Πg→A^3Σ＋u,N2^＊第二正系C^3Πu→B^3Πg,N2＋^＊第一负系B^2Σ＋u→X^2Σ＋g,Zn＊以及Zn＋＊活性基团等离子体发射光谱特征谱线强度逐渐增强;由于衬底温度升高,腔室中各离子动能增加,使得碰撞电离加剧,导致N2^＊,N2＋^＊,Zn^＊以及Zn^＋＊活性基团的等离子体离子密度增加;等离子体发射光谱分析结果表明衬底温度在一定范围内升高有利于氮化锌薄膜生长。采用离子源
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