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本文介绍硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管工艺，结合光刻门极化学挖槽技术，简化制管工序，改善了器件的电性能指标。
硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管
【摘 要】
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本文介绍硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管工艺，结合光刻门极化学挖槽技术，简化制管工序，改善了器件的电性能指标。
【机 构】
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浙江大学功率器件研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1994年5期
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