【摘 要】
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六氯乙硅烷作为高品质氮化硅和氧化硅薄膜的硅源前驱体,主要用于DRAM和NAND Flash存储器的制造以及特征尺寸28 nm以下逻辑芯片的制备,在半导体制造中已被广泛应用。目前国内
【机 构】
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中南大学冶金与环境学院,中国恩菲工程技术有限公司,多晶硅材料制备技术国家工程实验室,难冶有色金属资源高效利用国家工程实验室
【基金项目】
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河南省重大科技专项(181200212700)
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六氯乙硅烷作为高品质氮化硅和氧化硅薄膜的硅源前驱体,主要用于DRAM和NAND Flash存储器的制造以及特征尺寸28 nm以下逻辑芯片的制备,在半导体制造中已被广泛应用。目前国内采用六氯乙硅烷生产技术已制备集成电路,但其十亿分之一量级的超痕量金属杂质检测是国内的检测技术瓶颈,也是国外技术封锁的项目之一。为此,研究六氯乙硅烷的水解过程产生的微颗粒吸附固化金属杂质的机理,采用氢氟酸消解产生的SiF4的强挥发性,以消除硅基效应导致的基体干扰。在此基础上,建立六氯乙硅烷中Li,Na,Mg,Al,K,Ca,Ti,
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