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研制了一款Ku波段GaN单片低噪声放大器,该放大器采用了GaN 0.25μm Ku功率工艺,工作电压为10 V。在12-18 GHz频带内,噪声NF≤2.9 d B,增益G≥20 d B,输入驻波比VSWR1≤1.8,输出驻波比VSWR2≤1.5。该芯片在16 GHz下,承受38 d Bm的大功率输入脉冲（周期为1 ms,占空比为10%）10 min,经测试未发现低噪声放大器芯片烧毁的现象。