【摘 要】
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采用中频感应提拉法,在氩气和四氟化碳气氛下,生长掺钬氟化钇钡[Ho：BaY2F8]激光晶体;针对Ho：BaY2F8晶体生长工艺参数进行了讨论,获得了合适的晶体生长工艺参数范围：拉速0.5～1mm/h
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采用中频感应提拉法,在氩气和四氟化碳气氛下,生长掺钬氟化钇钡[Ho：BaY2F8]激光晶体;针对Ho：BaY2F8晶体生长工艺参数进行了讨论,获得了合适的晶体生长工艺参数范围：拉速0.5～1mm/h,转速5～7rpm;研究了Ho：BaY2F8晶体在中红外的荧光光谱。结果表明,在889nm激光器的激发下,该晶体在3.9μm附近获得了较强的荧光发射,对应于Ho离子的^5I5→^5I6跃迁,Ho：BaY2F8晶体在3.9μm附近的中红外激光器中有较大的应用前景。
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