【摘 要】
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本文采用第一性原理研究了O空位缺陷、Ti空位缺陷TiO2的能带结构、总态密度、吸收谱.通过研究发现:与TiO2超胞结构的能带相比,O空位缺陷体系的价带与导带能量均向低能区域移
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本文采用第一性原理研究了O空位缺陷、Ti空位缺陷TiO2的能带结构、总态密度、吸收谱.通过研究发现:与TiO2超胞结构的能带相比,O空位缺陷体系的价带与导带能量均向低能区域移动,费米能级与导带底交错,呈现出n型半导体,Ti空位缺陷的TiO2的费米能级与价带顶部的能级交错,为p型半导体材料.对于O空位缺陷TiO2总态密度与分波态密度在低能区的态密度则主要由O的3s、3p轨道贡献的能量,而在费米能附近的态密度则主要由Ti的4d轨道贡献能量;Ti空位缺陷的态密度总态密度仍然由O的3s、3p和Ti的4d轨道贡献的能量;同时分析吸收光谱发现峰值下移较多的是钛缺陷体系,其原因在于Ti缺陷结构中未成键电子的相互作用.
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