NBTI效应及其对集成电路设计的影响

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【摘要】

：

可靠性设计是现代集成电路设计需要考虑的一个重要问题.对影响电路可靠性的一个最主要效应——P-MOSFET的NBTI效应进行了系统的介绍.给出了不同电压、温度下器件性能随时间变

【作者】

：

周晓明夏炎

【机构】

：

东南大学集成电路学院南京芯力微电子有限公司,东南大学集成电路学院南京芯力微电子有限公司南京

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

：

NBTI 尺寸缩小 P-MOSFET 集成电路设计 NBTI scale down p-MOSFET integrated circuits design

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可靠性设计是现代集成电路设计需要考虑的一个重要问题.对影响电路可靠性的一个最主要效应——P-MOSFET的NBTI效应进行了系统的介绍.给出了不同电压、温度下器件性能随时间变化趋势的最新研究成果.最后介绍了SPICE考虑器件器件退化的电路模拟流程.在器件尺寸日益缩小的今天,这些将成为集成电路设计关注的焦点.

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