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采用感应熔炼、球磨与放电等离子烧结的方法制备了SiC第二相均匀分布的Si（80）Ge（20）B（0.6）-SiC纳米复合热电材料。系统研究了细化Si（80）Ge（20）B（0.6）晶粒尺寸与复合SiC纳米颗粒对材料热电性能的影响。球磨导致的Si（80）Ge（20）B（0.6）晶粒尺寸的降低显著增加了材料的晶界数量,进而增强了晶界对中长波声子的散射,能够有效降低材料的晶格热导。Si（80）Ge（20）B（0.6）基体中均匀分布的纳米SiC颗粒提供了额外的散射中心和界面,可进一步增强声子散射,降低材料的晶格热