【摘 要】
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β-Ga2O3纳米线是一种新型具有强发光特性的宽带隙半导体材料,作为探测器性能稳定且可靠,近年来受到了极大的关注。本文主要采用化学气相沉积法(CVD),以Ag纳米颗粒为催化剂,
【机 构】
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徐州工程学院化学化工学院,伊犁师范大学化学与环境科学学院,太原理工大学材料科学与工程学院,山东大学晶体材料国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(21703194);国家重点研发计划(2018YFB0406502);徐州市推动科技创新专项资金项目(KC17080)
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β-Ga2O3纳米线是一种新型具有强发光特性的宽带隙半导体材料,作为探测器性能稳定且可靠,近年来受到了极大的关注。本文主要采用化学气相沉积法(CVD),以Ag纳米颗粒为催化剂,在Si(100)衬底上生长了β-Ga2O3纳米线,经EDS、SEM、TEM等技术表征,证明其大部分遵循VLS生长机理,少许遵循VS机制。其中遵循VLS生长机制的β-Ga2O3纳米线更细更长,其形貌均匀一致,长度约为230~260μm,直径约为150~180 nm,且Ag颗粒皆在纳米线顶部。
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