硅片湿法清洗工艺缺陷控制研究

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采用光学表面分析(OSA)方法,研究了硅片湿法清洗工艺中清洗液SC1的浓度配比和温度对硅片表面颗粒和缺陷的影响。研究结果表明,当NH4OH浓度较小,则硅片表面颗粒数增加,而缺陷减少;当SC1温度降低为45℃时,硅片表面颗粒增加数仅为60每片(颗粒尺寸大于等于0.2μm),且无缺陷产生。优化工艺参数后,明显改善了硅片湿法清洗工艺的质量。
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