【摘 要】
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通过改变温度和磁场方向对调制掺杂的n型Hg0·82Cd0·16Mn0·02Te/Hg0·3Cd0·7Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡进行了深入的研究,发现不仅温度的变化能够引起磁
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点
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通过改变温度和磁场方向对调制掺杂的n型Hg0·82Cd0·16Mn0·02Te/Hg0·3Cd0·7Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡进行了深入的研究,发现不仅温度的变化能够引起磁阻拍频节点位置的变化.而且改变磁场方向,可以分别调整塞曼分裂和朗道分裂.从对拍频的分析中,可以将依赖于磁场垂直方向的朗道能级分裂和依赖于整个磁场大小的塞曼分裂区分开来.
By changing the temperature and the direction of the magnetic field, the modulation of the magnetic two-dimensional electron-induced gas-gas beat frequency oscillations in the first type of quantum well doped n-type Hg0.82Cd0.16Mn0.22Te / Hg0.3Cd0.7Te has been studied in depth. It is found that not only Temperature changes can cause changes in the position of the magnetoresistive beat frequency node .Also change the direction of the magnetic field can be adjusted separately Zeeman and Landau division.From the beat frequency analysis, can be dependent on the magnetic field vertical direction of the Landau level split It is distinguished from the Zeeman split that depends on the size of the entire magnetic field.
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