单轴取向p型半导体CuI薄膜的制备与表征

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在室温下用反应沉淀制取了CuI粉体,用溶液生长法在玻璃载体上制备了单轴取向p型半导体CuI薄膜。用XRD、SEM对样品进行了分析,结果表明,CuI粉体为片状结构;晶体薄膜是(111)晶面沿玻璃平行生长的单轴取向马赛克CuI薄膜。阐明了单轴取向CuI薄膜形成的机理。 CuI powders were prepared by reaction precipitation at room temperature. Uniaxial oriented p-type semiconductor CuI films were prepared on glass substrates by solution growth method. The samples were analyzed by XRD and SEM. The results show that the CuI powder is in sheet form. The uniaxially oriented CuI film with parallel (111) crystal plane grows along the glass. The mechanism of uniaxial CuI film formation is illustrated.
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