半绝缘GaAs单晶材料发展现状

来源 :中国集成电路 | 被引量 : 0次 | 上传用户：michellehb1

【摘要】

：

<正> 一、前言 GaAs是目前工艺最成熟、生产量最大的化合物半导体材料。它具有直接跃迁较大带隙、电子迁移率高、易于制成半绝缘单晶(其电阻率可达10~9Ωcm,是理想的微波传输

【作者】

：

邓志杰郑安生俞斌才

【机构】

：

北京有色金属研究总院国瑞电子材料有限责任公司,北京有色金属研究总院国瑞电子材料有限责任公司

【出处】

：

中国集成电路

【发表日期】

：

2002年06期

【关键词】

：

EPD 单晶材料发展现状

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<正> 一、前言 GaAs是目前工艺最成熟、生产量最大的化合物半导体材料。它具有直接跃迁较大带隙、电子迁移率高、易于制成半绝缘单晶(其电阻率可达10~9Ωcm,是理想的微波传输介质,在IC加工中不必另外制作绝缘隔离层,既简化了IC加工过程又降低了寄生电容从而更有利于提高器件工作速度)等优良性能(表1),使GaAs

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