论文部分内容阅读
采用磁控溅射法制备不同ZnS溅射时间的Cu/Sn/ZnS前驱体薄膜,并利用双温区高温管式炉对薄膜进行硫化处理制备Cu2ZnSnS4薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱分析仪和紫外-可见分光光度计对薄膜的结构、表面形貌、化学成分和光学性能进行表征。结果表明,随着ZnS溅射时间的增加,薄膜中Cu/(Zn+Sn)的比值降低,Zn/Sn的比值明显增加,薄膜表面变得粗糙,禁带宽度增加。