前驱膜中Ga含量对CIGS吸收层性能的影响

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：nbu_james

【摘要】

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采用中频交流磁控溅射方法制备了CuInGa(CIG)前驱膜,并采用固态硒化法进行处理,获得了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜.采用扫描电子显微镜和X射线衍射观察和分析了薄膜的成

【作者】

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郑麒麟庄大明张弓李秋芳

【机构】

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清华大学机械工程系

【出处】

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真空科学与技术学报

【发表日期】

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2006年z1期

【关键词】

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太阳能电池 Cu(In1-xGax)Se2 磁控溅射前驱膜硒化

【基金项目】

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清华大学985基础研究基金项目(JC2003014)

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采用中频交流磁控溅射方法制备了CuInGa(CIG)前驱膜,并采用固态硒化法进行处理,获得了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜.采用扫描电子显微镜和X射线衍射观察和分析了薄膜的成分、组织结构和表面形貌.着重分析了CIG前驱膜中的Ga含量对CIGS吸收层薄膜成分、晶体结构的影响.结果表明,通过调节CIG前驱膜的Ga含量可制备得到Cu/(In+Ga)原子比接近1,且Ga/(In+Ga)比例可调的成分分布均匀的CIGS薄膜.CIGS薄膜由Cu(In1-xGax)Se2固溶体相组成,Ga主要是以

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