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研究了移动加热器法生长CdMnTe晶体的生长界面。采用传统摇摆炉和垂直Bridgman炉合成多晶原料,并比较了不同多晶原料对移动加热器法生长界面的影响。结果显示,采用垂直Bridgman法合成多晶生长的CdMnTe晶体（CMT2）相对于传统摇摆炉合成多晶生长的晶体（CMT1）,其生长界面较为光滑且凹面曲率更低。分析了生长界面对CdMnTe晶体的Mn成分和Te夹杂相分布的影响。CMT2晶体Mn的径向成分分凝和Te夹杂相密度及尺寸均小于CMT1晶体。总之,垂直Bridgman法合成多晶原料能明显改善生长界面的