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对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源，分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性。通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层，随C掺杂浓度增加，禁带宽度收缩，PL谱峰值半宽增大，晶格常数减小。
C掺杂GaAs外延层光学特性分析
【摘 要】
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对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源，分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性。通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层，随C掺杂浓度增加，禁带宽度收缩，PL谱峰值
【机 构】
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北京工业大学、北京光电子技术实验室
【出 处】
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量子电子学报
【发表日期】
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2006年2期
【基金项目】
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国防科技预研基金（51456020203QT0101）、国家自然科学基金（60077004）、国家973（G20000683-02）资助项目
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